Descripción

En esta línea el GIR GCME aborda el uso de herramientas de caracterización eléctrica para evaluar sustratos de silicio multicristalino utilizados para la fabricación de células solares fotovoltaicas.

Partiendo de la hipótesis de que la causa de pérdidas de eficiencia cuántica radica en la existencia de defectos en el sustrato de silicio, podemos construir los mapas de eficiencia y de distribución de defectos de células solares construidas sobre sustratos de silicio. Para conseguir dichos mapas de defectos, podemos utilizar una técnica original del grupo, la técnica de transitorios de capacidad - tensión (CVTT), probada con anterioridad sobre otras estructuras y dispositivos electrónicos.

En esta línea también se realizan estudios de sustratos de silicio que han sido hiperdopados con centros profundos, con el objetivo de formar una banda intermedia dentro del gap del silicio. De este modo, fotones cuya energía fuese menor que el gap del silicio podrían generar pares electrón-hueco, por lo que la eficiencia de una célula solar fabricada con este material se incrementaría. Igualmente es interesante la formación de esta banda intermedia para conseguir fabricar detectores de infrarrojo basados en silicio.

En esta línea de trabajo cabe destacar el siguiente trabajo realizado: ‘Cualificación de sustratos de silicio multicristalino para células solares’ (2011-2013), proyecto financiado por la Consejería de Educación de la Junta de Castilla y León.

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