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CYTUVA

Patente: Anoidized Ta2O5 MOS gate dielectric

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Datos de Contacto

Información básica

  • UniversidadUniversidad de Valladolid
  • CentroEscuela Técnica Superior de Ingenieros de Telecomunicación
  • DepartamentoElectricidad y Electrónica
  • Grupo de investigaciónGrupo de Caracterización de Materiales y dispositivos Electrónicos (GCME)


Descripción

Anodized Ta205 MOS gate dielectric. (Patente)



Otra Información

Número de investigadores:

3

Estado de desarrollo:

Comercializado o en el mercado

Derechos de propiedad intelectual:

Patentado

Diferenciación en el mercado:

Novedad

Aplicabilidad de la tecnología:

Empresas y mercados:

Entidad titular: Lucent Technologies, Bell Laboratories País de prioridad: Estados Unidos de América

Información adicional:

Fecha: 1998

Código UNESCO:

3307 - Tecnología electrónica

Otros miembros:

P.A. Sullivan
R.R. Kola

Fotos

Vídeos

Otros recursos

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