Por favor, espere unos instantes
¿Demasiado tiempo cargando?
Recargue la página e inténtelo de nuevo.
Descripción
Anodized Ta205 MOS gate dielectric. (Patente)Otra Información
Número de investigadores:
3
Estado de desarrollo:
Comercializado o en el mercado
Derechos de propiedad intelectual:
Patentado
Diferenciación en el mercado:
Novedad
Aplicabilidad de la tecnología:
Sí
Empresas y mercados:
Entidad titular: Lucent Technologies, Bell Laboratories País de prioridad: Estados Unidos de América
Información adicional:
Fecha: 1998
Código UNESCO:
3307 - Tecnología electrónica
Otros miembros:
P.A. Sullivan
R.R. Kola
El exceso de producción de CO2 por parte de cualquier actividad industrial en un país desarrollado está suponiendo un problema ecológico actualmente. Cualquier procedimiento encaminado a la captura y uso de este gas tiene un altísimo interés.Es... Leer más >
Implementación de algoritmos basados en arquitecturas FPGA (Field Programmable Gate Array) para procesamiento en tiempo real.... Leer más >
Process for fabricating a thin film capacitor (Patente)... Leer más >
Un fluido supercrítico es cualquier sustancia que se encuentra a una temperatura y presión por encima de sus puntos críticos y que posee propiedades de gases y líquidos al mismo tiempo. Además, pequeñas variaciones en presión o temperatura mod... Leer más >