Descripción

En esta línea el GIR GCME aborda el estudio del fenómeno denominado conmutación resistiva (resistive switching), que exhiben determinados materiales y consiste en que mediante una señal eléctrica externa se les puede hacer pasar de un estado de elevada corriente (conducción) a un estado de muy baja corriente (corte), creando o eliminando filamentos iónicos entre dos electrodos. Estos materiales podrán utilizarse para la realización de una nueva generación de memorias (memorias resistivas).

Aunque los fenómenos de conmutación resistiva han sido observados en diversas estructuras metal-óxido-metal (MIM) y metal-óxido-semiconductor (MIS), se plantean muchos interrogantes acerca del origen de los mecanismos de conducción y de la conmutación resistiva. Por consiguiente, antes de abordar el uso comercial de las RRAM es necesario resolver algunos aspectos fundamentales, uno de los más importantes es la existencia de fluctuaciones en los diferentes estados resistivos, responsables de la variabilidad entre ciclos y entre dispositivos.

En la actualidad se realiza el estudio de óxidos de alta permitividad sobre óxidos de titanio dopados con óxidos de holmio, y en óxidos de hafnio. Un objetivo a corto plazo es el estudio de este fenómeno a distintas temperaturas, desde la temperatura del nitrógeno líquido (77 K), hasta temperaturas por encima de la de ambiente.

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