Generando documento PDF
Por favor, espere unos instantes
¿Demasiado tiempo cargando?
Recargue la página e inténtelo de nuevo.
Por favor, espere unos instantes
¿Demasiado tiempo cargando?
Recargue la página e inténtelo de nuevo.
Descripción
Otra Información
Número de investigadores:
5
Estado de desarrollo:
En fase de investigación y desarrollo
Derechos de propiedad intelectual:
No hay derechos intelectuales implicados
Diferenciación en el mercado:
No existen otros proveedores
Aplicabilidad de la tecnología:
Sí
Empresas y mercados:
Cada vez más, la industria demanda herramientas de simulación y análisis, basadas en la comprensión de los mecanismos físicos involucrados, que proporcionen una orientación sobre cómo mejorar los procesos. El esquema de simulación multiescala que proponemos, apoyado en estudios fundamentales, puede proporcionar claves para la optimización de procesos de forma mucho más efectiva que los modelos fenomenológicos basados en el simple ajuste empírico de parámetros. Prueba del interés que despierta nuestro trabajo son las activas interacciones que mantenemos con empresas tales como NXP y Varian. Es previsible una transferencia tecnológica y/o contratos con dichas empresas. Los modelos que desarrollamos en nuestra investigación podrían ser incorporados en simuladores atomísticos comerciales, como es el caso de Sentaurus Atomistic de la empresa Synopsys Inc., herramienta TCAD para el desarrollo de la tecnología de los circuitos integrados.
Ventajas:
Los estudios que llevamos a cabo son relevantes científica y tecnológicamente. En el caso del silicio, material con el que tenemos más experiencia, la determinación de las bases físicas y mecanismos atómicos asociados a los procesos tecnológicos para la fabricación de circuitos integrados supuso un gran avance en el conocimiento fundamental de la generación del dañado por irradiación, y de las interacciones entre dopantes y defectos.
Información adicional:
Los miembros del grupo de Modelado Multiescala de Materiales están constituidos como Unidad de Investigación Consolidada de la Junta de castilla y León.
Código UNESCO:
2211 - Física del estado sólido
Otros miembros:
Luis Alberto Marqués Cuesta
María Aboy Cebrián
Ver más
Pedro López Martín
Iván Santos Tejido
Caracterización de entornos radioeléctricos. Los modelos de propagación habituales han demostrado su eficacia para modelar problemas en los que la longitud de onda es grande o pequeña frente a las dimensiones físicas características involucrada... Leer más >
El modelado y simulación de sistemas es de gran utilidad para muchas áreas de conocimiento. Poder simular de forma matemática el comportamiento real de un sistema reporta muchas ventajas en su diseño y control en varios niveles, por ejemplo, en e... Leer más >
Modelado de dispositivos para la integración optoelectrónica, cadenas de microanillos acoplados, nuevos materiales, luz rápida y lenta.... Leer más >
Caracterización mediante técnicas originales del GIR de los materiales denominados “dieléctricos de alta permitividad”. Algunos trabajos realizados en esta línea de trabajo se enumeran a continuación:“Caracterización eléctrica de estruct... Leer más >
